PBSS5350D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS5350D |
| 参数属性 | PBSS5350D 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 50V 3A 6TSOP |
| 功能描述 | PNP transistor |
| 封装外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 文件大小 |
65.41 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 9:40:00 |
| 人工找货 | PBSS5350D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5350D规格书详情
DESCRIPTION
PNP low VCEsat transistor in a SC-74 plastic package.
NPN complement: PBSS4350D.
FEATURES
• High current capabilities
• Low VCEsat.
APPLICATIONS
• Heavy duty battery powered equipment (Automotive, Telecom and Audio/Video) such as motor and lamp drivers
• VCEsat critical applications such as the latest low supply voltage IC applications
• All battery driven equipment to save battery power.
产品属性
- 产品编号：
PBSS5350D,125
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
SOT-163 |
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