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PBHV9050T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBHV9050T

参数属性

PBHV9050T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 500V 0.15A TO236AB

功能描述

500 V, 150 mA PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

97.44 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-12-5 13:01:00

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PBHV9050T规格书详情

General description

PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PMBTA45

特性 Features

■ High voltage

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ AEC-Q101 qualified

Applications

■ Electronic ballasts

■ LED driver for LED chain module

■ LCD backlighting

■ Automotive motor management

■ Flyback converters

■ Hook switch for wired telecom

■ Switch Mode Power Supply (SMPS)

产品属性

  • 产品编号:

    PBHV9050T,215

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 10mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 500V 0.15A TO236AB

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