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PBHV8515QA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBHV8515QA |
| 参数属性 | PBHV8515QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3 |
| 功能描述 | 150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
731.07 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-29 16:20:00 |
| 人工找货 | PBHV8515QA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
PBHV8515QAZ
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
60mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 200mA，10V
- 频率 - 跃迁：
75MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
DFN1010D-3
- 描述：
TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia/安世 |
22+ |
SOT1215 |
100000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1215 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
2447 |
SOT-1215 |
115000 |
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询价 | ||
恩XP |
1923+ |
SOT-23 |
9600 |
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询价 | ||
恩XP |
21+ |
SOT23-3 |
3000 |
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询价 | ||
Nexperia |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
6000 |
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询价 |
