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PBHV8110DH_R1_00001分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBHV8110DH_R1_00001 |
| 参数属性 | PBHV8110DH_R1_00001 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 1A SOT89 |
| 功能描述 | NPN Low Vce(sat) Transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-89 / TO-243AA |
| 文件大小 |
383.14 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Pan Jit International Inc. |
| 企业简称 |
PANJIT【強茂】 |
| 中文名称 | 強茂股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-27 17:43:00 |
| 人工找货 | PBHV8110DH_R1_00001价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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PBHV8110DH_R1_00001规格书详情
PBHV8110DH_R1_00001属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由強茂股份有限公司制造生产的PBHV8110DH_R1_00001晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Features
Silicon NPN epitaxial type
Low Vce(sat) 0.35V(max)@Ic/Ib= 500mA / 50mA
High collector current capability
Excellent DC current gain characteristics
Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC61249 Standard
PNP complement: PBHV9110DH
产品属性
更多- 产品编号：
PBHV8110DH_R1_00001
- 制造商：
Panjit International Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 150mA，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
TRANS NPN 100V 1A SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
TO236AB |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
22+ |
SOT23 |
20000 |
深圳原装现货正品有单价格可谈 |
询价 | ||
Panjit International Inc. |
25+ |
TO-243AA |
9350 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
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询价 | ||
恩XP |
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SOT23 |
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恩XP |
23+ |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT23 |
90000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
PANJIT/强茂 |
23+ |
SOT-89 |
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恩XP |
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SOT-23 |
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