PBHV8115T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBHV8115T |
参数属性 | PBHV8115T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 150V 1A TO236AB |
功能描述 | 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
113.18 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | 未知制造商 |
企业简称 |
恩XP |
中文名称 | 未知制造商 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-27 9:21:00 |
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产品属性
- 产品编号:
PBHV8115TLHR
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
60mV @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 50mA,10V
- 频率 - 跃迁:
30MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
TRANS NPN 150V 1A TO236AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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