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PBHV8115T	文件：118.2 Kbytes Page：12 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T. Features ■ High voltage ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector curre 文件：118.2 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PBHV8115T	文件：284.64 Kbytes Page：12 Pages	丝印：W6；Package：SOT23；150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat transistor 1. General description NPN high-voltage low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T 2. Features and benefits • High voltage • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability I 文件：284.64 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8115T	文件：236.33 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T. 1.2 Features n High voltage n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat n High collec 文件：236.33 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8115T	文件：113.65 Kbytes Page：12 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 文件：113.65 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PBHV8115T	文件：113.18 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 文件：113.18 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PBHV8115TLH	文件：418.68 Kbytes Page：15 Pages	丝印：PBHV8115TLH；Package：TO-236AB；150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat BISS transistor 文件：418.68 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8115T,215	文件：236.33 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T. 1.2 Features n High voltage n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat n High collec 文件：236.33 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8115T_V01	文件：236.33 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T. 1.2 Features n High voltage n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat n High collec 文件：236.33 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8115T-Q	文件：266.84 Kbytes Page：12 Pages	丝印：W6；Package：SOT23；150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat transistor 1. General description NPN high-voltage low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T-Q. 2. Features and benefits • High voltage • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability 文件：266.84 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8115T-QR	文件：236.33 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T. 1.2 Features n High voltage n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat n High collec 文件：236.33 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package version：
SOT23
Package name：
TO-236AB
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Product status：
Production
Polarity：
NPN
P_tot [max] (mW)：
300
V_CEO [max] (V)：
150
I_C [max] (A)：
1
V_CEsat [max] (mV)：
350
h_FE [min]：
100
f_T [typ] (MHz)：
30

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