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PBHV8115T_V01	文件：236.33 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T. 1.2 Features n High voltage n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat n High collec 文件：236.33 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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更多PBHV8115T_V01供应商更新时间2025-11-24 9:12:00