PBHV2160Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBHV2160Z |
| 参数属性 | PBHV2160Z 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 600V 0.1A SOT223 |
| 功能描述 | 600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-73 / TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
694.5 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | PBHV2160Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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PBHV2160Z规格书详情
General description
NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBHV3160Z
Features and benefits
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain hFE at high IC
Applications
• Electronic ballast for fluorecent lighting
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• HID front lighting
• Hook switch for wired telecom
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
产品属性
- 产品编号：
PBHV2160ZX
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
125mV @ 6mA，30mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 10mA，10V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS NPN 600V 0.1A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
7350 |
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NEXPERIA/安世 |
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NA |
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NEXPERIA |
23+ |
原厂原封 |
10000 |
订货1周 原装正品 |
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23+ |
SOT223 |
30000 |
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SOT-223 |
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原装正品现货 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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2019+ |
SOT-223 |
78550 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA |
9990 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-223 |
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