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PBHV8110DA-AU_R1_000A1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBHV8110DA-AU_R1_000A1

参数属性

PBHV8110DA-AU_R1_000A1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT23

功能描述

NPN Low Vce(sat) Transistor

丝印标识

811

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

402.26 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

PANJIT

中文名称

強茂

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更新时间

2025-12-1 17:58:00

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PBHV8110DA-AU_R1_000A1规格书详情

特性 Features

 Silicon NPN epitaxial type

 Low Vce(sat) 0.35V(max)@Ic/Ib= 500mA / 50mA

 High collector current capability

 Excellent DC current gain characteristics

 AEC-Q101 qualified

 Lead free in comply with EU RoHS 2.0

 Green molding compound as per IEC61249 Standard

 PNP complement: PBHV9110DA

产品属性

  • 产品编号:

    PBHV8110DA-AU_R1_000A1

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    450mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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