PBHV8118T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBHV8118T |
| 参数属性 | PBHV8118T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 180V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 180 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
286.76 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-2 12:00:00 |
| 人工找货 | PBHV8118T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV8118T规格书详情
Features and benefits
* High voltage
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* AEC-Q101 qualified
* Small SMD plastic package
产品属性
- 产品编号：
PBHV8118T,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
50mV @ 20mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，10V
- 频率 - 跃迁：
30MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 180V 1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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