PBHV8540T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBHV8540T
参数属性	PBHV8540T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 0.5A TO236AB
功能描述	500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	113.41 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	恩XP
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更新时间	2025-12-1 20:19:00
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General description

NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

特性 Features

■ High voltage

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ AEC-Q101 qualified

Applications

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

■ LED driver for LED chain module

■ LCD backlighting

■ High Intensity Discharge (HID) front lighting

■ Automotive motor management

■ Hook switch for wired telecom

■ Switch mode power supply

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