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PBHV8140Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBHV8140Z
厂商型号

PBHV8140Z

参数属性

PBHV8140Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A SOT223

功能描述

500 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

V8140Z

封装外壳

SC-73 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

274.3 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 18:09:00

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PBHV8140Z规格书详情

特性 Features

* High voltage

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

*High collector current gain (hFE) at high IC

* AEC-Q101 qualified

* Medium power SMD plastic package

产品属性

  • 产品编号:

    PBHV8140Z,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 200mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 500mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 1A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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