PBHV8140Z分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBHV8140Z |
参数属性 | PBHV8140Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A SOT223 |
功能描述 | 500 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SC-73 / TO-261-4,TO-261AA |
文件大小 |
274.3 Kbytes |
页面数量 |
13 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 18:09:00 |
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PBHV8140Z规格书详情
特性 Features
* High voltage
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
*High collector current gain (hFE) at high IC
* AEC-Q101 qualified
* Medium power SMD plastic package
产品属性
- 产品编号:
PBHV8140Z,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 200mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
35 @ 500mA,10V
- 频率 - 跃迁:
25MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223
- 描述:
TRANS NPN 400V 1A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
18+ |
SOT223 |
1000 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
SOT-223 |
504126 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装,正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT-223-3 |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
原装现货订货价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT223 |
3139 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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恩XP |
25+23+ |
SOT223 |
25779 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
标准封装 |
10248 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
1000 |
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询价 |