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NTMS5P02R2	文件：122.1 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts 文件：122.1 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMS5P02R2	文件：88.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts 文件：88.25 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMS5P02R2_06	文件：122.1 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts 文件：122.1 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMS5P02R2G	文件：122.1 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts 文件：122.1 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMS5P02R2G	文件：124.04 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：124.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMS5P02R2G	文件：1.02841 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.02841 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
NTMS5P02R2
功能描述：
MOSFET -20V -5.4A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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