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NTP5860NG	文件：123.72 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVB5860N	文件：345.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=220A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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PLP5860RKPR	文件：2.24409 Mbytes Page：57 Pages	LP586011횞18LEDMatrixDriverwith8-bitAnalogand8-/16-bitPWMDimming	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLP5860TRKPR	文件：3.37646 Mbytes Page：56 Pages	LP5860T11×18LEDHigh-CurrentMatrixDriverwith8-BitAnalogand8-Bitor16-BitPWMDimming 1Features •LEDmatrixtopology: –18constantcurrentsinkswith11scanswitches for198LEDdots –Configurablefor1to11scanswitches •Operatingvoltagerange: –VCC/VLEDrange:2.7Vto5.5V –Logicpinscompatiblewith1.8V,3.3V,and5V •18constantcurrentsinkswithhigh	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
S5860	文件：3.37929 Mbytes Page：12 Pages	S5860SeriesSwitches	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SZ5860	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
NTP5860NG
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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