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NTMD6N03R2G	文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N03R2G	文件：343.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 6 A, Dual N--Channel SOIC--8 文件：343.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N03R2G	文件：1.02503 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02503 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTMD6N04R2	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N04R2	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 文件：84.29 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N04R2_13	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 文件：84.29 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 文件：105.45 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：1.08883 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08883 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTMD6P02	文件：124.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 6 A, 20 V, P?묬hannel SOIC??, Dual 文件：124.2 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Pressure Range Min-max(MIN-MAX)(kPa)：
90.0 - 930.0
Pressure offset accuracy(kPa)(0C <= Ta <= 70C) [Min - Max]：
-5.0 to 5.0
Acceleration X Axis(Min-Max)：
-120.0 - 520.0
Accelerometer(X Axis) offset accuracy(g)(-40C to 125C) [Min - Max]：
-3.0 to 3.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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