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NTMD3P03R2

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

文件:116.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2_06

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

文件:147.05 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2_13

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

文件:116.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2G

Power MOSFET Dual P-Channel SOIC-8

文件:116.48 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2G

Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts

文件:147.05 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD3P03R2G

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.05873 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTMD3P03R2G

Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.33481 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

NTMD4102PR2

Trench Power MOSFET

文件:47.94 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD4184PF

Power MOSFET and Schottky Diode -30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2 A, Schottky Barrier Diode

文件:103.77 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMD4184PFR2G

Power MOSFET and Schottky Diode -30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2 A, Schottky Barrier Diode

文件:103.77 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pressure Range Min-max(MIN-MAX)(kPa):

    90.0 - 930.0

  • Pressure offset accuracy(kPa)(0C <= Ta <= 70C) [Min - Max]:

    -5.0 to 5.0

  • Acceleration X Axis(Min-Max):

    -120.0 - 520.0

  • Accelerometer(X Axis) offset accuracy(g)(-40C to 125C) [Min - Max]:

    -3.0 to 3.0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTM供应商 更新时间2025-10-8 16:00:00