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NTMD4184PF	文件：103.77 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode -30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2 A, Schottky Barrier Diode 文件：103.77 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD4184PFR2G	文件：103.77 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode -30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2 A, Schottky Barrier Diode 文件：103.77 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD4184PF	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 P 沟道，FETKY™，功率 MOSFET，-30V，-4.0A，95mΩ Power MOSFET and Schottky Diode \n-30 V, -4.0 A, Single P-Channel with 20 V, 2.2\u0002A, Schottky Barrier Diode • FETKY™ Surface Mount Package Saves Board Space\n• Independent Pin-Out for MOSFET and Schottky Allowing forDesign Flexibility\n• Low RDS(on) MOSFET and Low VF Schottky to MinimizeConduction Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PE4184	文件：90.24 Kbytes Page：1 Pages	SSMA MALE SOLDER ATTACHMENT FOR RG174 RG188 RG316 SSMA MALE SOLDER ATTACHMENT FOR RG174, RG188 & RG316 文件：90.24 Kbytes 页数：1 Pages	PASTERNACK	PASTERNACK
SQ4184EY	文件：206.98 Kbytes Page：10 Pages	Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：206.98 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SQ4184EY	文件：266.71 Kbytes Page：10 Pages	Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET 文件：266.71 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
with Schottky Diode
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-4
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
165
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
95
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
4.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
5.8
Ciss Typ (pF)：
280
Package Type：
SOIC-8

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