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NTMFD020N06C	文件：251.31 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 20.3 m, 27 A 文件：251.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD020N06CT1G	文件：251.31 Kbytes Page：7 Pages	丝印：20DN6C；Package：SO8FLDual；MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 20.3 m, 27 A 文件：251.31 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD030N06C	文件：252.45 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 29.7 m, 19 A 文件：252.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD030N06CT1G	文件：252.45 Kbytes Page：7 Pages	丝印：30DN6C；Package：SO8FLDual；MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 29.7 m, 19 A 文件：252.45 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD0D9N02P1E	文件：510.25 Kbytes Page：11 Pages	丝印：2EGN；Package：PQFN8；MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, Power Trench, Power Clip, Asymmetric 文件：510.25 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD1D4N02P1E	文件：507.17 Kbytes Page：11 Pages	丝印：2EKN；Package：PQFN8；MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, Power Trench, Power Clip, Asymmetric 文件：507.17 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4901NF	文件：174.79 Kbytes Page：12 Pages	30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual N?묬hannel SO8FL 文件：174.79 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4901NF	文件：113.99 Kbytes Page：12 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 文件：113.99 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4901NF	文件：160.58 Kbytes Page：12 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky 文件：160.58 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFD4901NF	文件：113.99 Kbytes Page：12 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 文件：113.99 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Pressure Range Min-max(MIN-MAX)(kPa)：
90.0 - 930.0
Pressure offset accuracy(kPa)(0C <= Ta <= 70C) [Min - Max]：
-5.0 to 5.0
Acceleration X Axis(Min-Max)：
-120.0 - 520.0
Accelerometer(X Axis) offset accuracy(g)(-40C to 125C) [Min - Max]：
-3.0 to 3.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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