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NTMFD0D9N02P1E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

NTMFD0D9N02P1E

参数属性

NTMFD0D9N02P1E 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12

功能描述

MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, Power Trench, Power Clip, Asymmetric
PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12

丝印标识

2EGN

封装外壳

PQFN8

文件大小

510.25 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 23:00:00

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NTMFD0D9N02P1E规格书详情

NTMFD0D9N02P1E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由安森美半导体制造生产的NTMFD0D9N02P1E晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

产品属性

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  • 产品编号:

    NTMFD0D9N02P1E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    PT11N 30/12 \u0026 PT11N 30/12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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