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NTMD6N04R2	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：219.31 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A Features •Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications •UltraLowOn−ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife −RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) −RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) •MiniatureSOIC−8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2_13	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：84.29 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：105.45 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMD6N04R2G	文件：1.08883 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

更多NTMD6N04R2供应商更新时间2025-7-22 15:10:00