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NTHL080N120SC1中文资料碳化硅 MOSFET，N 沟道，1200 V，80 mΩ，TO247−3L数据手册ONSEMI规格书
NTHL080N120SC1规格书详情
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
特性 Features
• 1200V rated
• Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A
• High Speed Switching and Low Capacitance
• 100% UIL Tested
应用 Application
• PFC
• Boost Inverter
• PV Charging
• Solar Inverter
• Network Power Supply
• Server Power Supply
技术参数
- 制造商编号
：NTHL080N120SC1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：1200
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：4.3
- ID Max (A)
：44
- PD Max (W)
：348
- Ciss Typ (pF)
：1112
- Package Type
：TO-247-3LD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
TO-247 |
12656 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
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ON(安森美) |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
ON |
24+ |
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原装原装原装 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
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onsemi |
23+ |
TO-247-3LD |
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ON(安森美) |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
