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NTHL080N120SC1数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTHL080N120SC1

功能描述

碳化硅 MOSFET,N 沟道,1200 V,80 mΩ,TO247−3L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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NTHL080N120SC1规格书详情

描述 Description

Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

特性 Features

• 1200V rated
• Max RDS(on) = 110mΩ at Vgs = 20V, Id = 20A
• High Speed Switching and Low Capacitance
• 100% UIL Tested

应用 Application

• PFC
• Boost Inverter
• PV Charging
• Solar Inverter
• Network Power Supply
• Server Power Supply

技术参数

  • 制造商编号

    :NTHL080N120SC1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :1200

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :4.3

  • ID Max (A)

    :44

  • PD Max (W)

    :348

  • Ciss Typ (pF)

    :1112

  • Package Type

    :TO-247-3LD

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