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NTHL060N090SC1中文资料Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 60 mohm, 900 V, M2, TO-247-3L数据手册ONSEMI规格书
NTHL060N090SC1规格书详情
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
特性 Features
• Typical RDSon
• 60mΩ
• Ultra Low Gate Charge (Qg tot)
• 87nC
• Low Effective Output Capacitance (Coss)
• 113pF
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant
应用 Application
• DC-DC Converter
• Boost Inverter
• UPS
• Solar Inverter
技术参数
- 制造商编号
：NTHL060N090SC1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：19
- VGS(th) Max (V)
：4.3
- ID Max (A)
：46
- PD Max (W)
：221
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：NA
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：NA
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：NA
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：NA
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：NA
- Ciss Typ (pF)
：1770
- Package Type
：TO-247-3LD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247-3LD |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3LD |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
TO-247-3LD |
6000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
8110 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247-3LD |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
onsemi |
23+ |
TO-247-3LD |
1356 |
原厂正品现货SiC MOSFET全系列 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-247-3LD |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
