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NTHL020N090SC1数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTHL020N090SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-3L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 21:16:00

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NTHL020N090SC1规格书详情

描述 Description

Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

特性 Features

• Ultra Low Gate Charge
• 196nC
• High Junction Temperature
• 175°C
• 900V Rating
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant

应用 Application

• UPS
• DC-DC Converter
• Boost Inverter
• Solar
• Power Devices

技术参数

  • 制造商编号

    :NTHL020N090SC1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :900

  • VGS Max (V)

    :19

  • VGS(th) Max (V)

    :4.3

  • ID Max (A)

    :118

  • PD Max (W)

    :503

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :NA

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :NA

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :NA

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :NA

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :NA

  • Ciss Typ (pF)

    :4415

  • Package Type

    :TO-247-3LD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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