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NVBG080N120SC1	文件：323.41 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG080N120SC1	文件：242.3 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??SiCPower,SingleN-Channel,D2PAK-7L	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVC080N120SC1	文件：273.17 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET??N?륝hannel,SiliconCarbide1200V,80m Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL080N120SC1	文件：363.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) •100UILTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL080N120SC1	文件：377.47 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL080N120SC1A	文件：297 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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