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NTH4L160N120SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTH4L160N120SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

文件大小

356.61 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 9:31:00

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NTH4L160N120SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 160 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

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