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厂商型号

NTH4L040N120SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

文件大小

360.84 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-19 20:22:00

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NTH4L040N120SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 40 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
2130+
TO-247
9000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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ONSemi
24+
TO247-4
8000
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TO247-4
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ON(安森美)
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标准封装
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onsemi(安森美)
24+
TO-247-4
8110
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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