NTH4L028N170M1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTH4L028N170M1
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET, M1, TO-247-4L 1700 V, 28 mOhm
丝印标识	H4L028N170M1
封装外壳	TO247-4L
文件大小	253.15 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-5-4 23:00:00
人工找货	NTH4L028N170M1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Features

• Typ. RDS(on) = 28 m @ VGS = 20 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 200 pF)

• 100 Avalanche Tested

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

• UPS

• DC/DC Converter

• Boost Converter

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