NTH4L025N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTH4L025N065SC1
功能描述	Silicon Carbide SiC MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
文件大小	322.74 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-22 17:22:00
人工找货	NTH4L025N065SC1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Features

• Typ. RDS(on) = 19 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 25 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 164 nC)

• Low Capacitance (Coss = 278 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

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