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NTH4L025N065SC1	文件：322.74 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide SiC MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) •LowCapacitance(Coss=278pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelin	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L025N065SC1

文件：322.74 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon Carbide SiC MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=19m@VGS=18V Typ.RDS(on)=25m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=164nC) •LowCapacitance(Coss=278pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelin

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更多NTH4L025N065SC1供应商更新时间2025-7-14 16:12:00

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