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NTH4L020N090SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTH4L020N090SC1

功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

丝印标识

H4L020090SC1

封装外壳

TO247-4L

文件大小

331.89 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 20:00:00

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NTH4L020N090SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 196 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Coss = 296 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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ONSEMI/安森美
24+
原封装
29823
郑重承诺只做原装进口现货
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ON
24+
N/A
8000
全新原装正品,现货销售
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ON-SEMI
22+
N/A
450
只做原装正品
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ON(安森美)
25+
TO-247-4
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
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ON(安森美)
2447
TO-247-4
115000
450个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
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ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
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onsemi
2025+
TO-247-4L
55740
询价
onsemi
23+
TO-247-4L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
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