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NTH4L020N090SC1	文件：331.89 Kbytes Page：8 Pages	Marking：H4L020090SC1；Package：TO247-4L；Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=196nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=296pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L020N090SC1

文件：331.89 Kbytes

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Marking：H4L020090SC1；Package：TO247-4L；Silicon Carbide SiC MOSFET - 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=196nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=296pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinter

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