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NTH4L022N120M3S_V01中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTH4L022N120M3S_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-4L

文件大小

314.02 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 23:00:00

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NTH4L022N120M3S_V01规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

• Low Switching Losses (Typ. EON 490 J at 40 A, 800 V)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with Exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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