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NTH4L022N120M3S_V01	文件：314.02 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V •LowSwitchingLosses(Typ.EON490Jat40A,800V) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onSecondLevelInterconnection) TypicalApplications •SolarInverters •ElectricV	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L022N120M3S_V01	文件：358.85 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–22mohm,1200V,M3S,TO-247-4 Features •Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=244pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(on	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 22 mohm, 1200V, M3, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V •LowSwitchingLosses(Typ.EON490Jat40A,800V) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onSecondLevelInterconnection) TypicalApplications •SolarInverters •ElectricV

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–22mohm,1200V,M3S,TO-247-4

Features •Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=244pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(on

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