NVH4L022N120M3S_V01中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NVH4L022N120M3S_V01
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 22 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4
文件大小	358.85 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-26 18:06:00
人工找货	NVH4L022N120M3S_V01价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Features

• Typ. RDS(on) = 22 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 151 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 244 pF)

• 100 Avalanche Tested

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Automotive On Board Charger

• Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

• Automotive Traction Inverter

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