NTH4L030N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTH4L030N120M3S
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 29 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L
丝印标识	H4L030120M3S
封装外壳	TO-247-4L
文件大小	359.47 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-22 17:22:00
人工找货	NTH4L030N120M3S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Features

• Typ. RDS(on) = 29 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

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