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NTH4L040N120SC1	文件：360.84 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120SC1	文件：361.86 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typica	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120SC1	文件：361.02 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitances ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·High-voltageCapacitiveLoads ·Motordrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTH4L040N120SC1	文件：282.35 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 40 m, 58 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120SC1_V01	文件：360.84 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L040N120SC1_V02	文件：361.86 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typica	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L040N120SC1	文件：363.47 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–40mohm,1200V,M1,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L040N120SC1	文件：282.55 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,TO247-4L1200V,40m,58A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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