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NTH4L040N120SC1_V02	文件：361.86 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typica	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L040N120SC1_V02

文件：361.86 Kbytes

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=106nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=137pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typica

ONSEMION Semiconductor

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