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NTH4L070N120M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTH4L070N120M3S
厂商型号

NTH4L070N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

丝印标识

H4L070120M3S

封装外壳

TO-247-4L

文件大小

356.3 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-7 9:30:00

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NTH4L070N120M3S规格书详情

Features

• Typ. RDS(on) = 65 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 57 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 57 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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