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NTH4L060N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTH4L060N065SC1

功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

文件大小

319.24 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-10-5 12:00:00

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NTH4L060N065SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 44 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 74 nC)

• Low Capacitance (Coss = 133 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storages

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