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NTH4L060N090SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NTH4L060N090SC1
厂商型号

NTH4L060N090SC1

功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 60 mohm, 900V, M2, TO-247-4L

文件大小

895.48 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 17:22:00

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NTH4L060N090SC1规格书详情

Features

• Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 43 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 87 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 113 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
22+
NA
650
原装正品支持实单
询价
onsemi(安森美)
24+
TO-247-4
7814
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
ON
23+
MOSFET
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
询价
ON
24+
N/A
8000
全新原装正品,现货销售
询价
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
onsemi
24+
TO-247-4L
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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ON
TO247
30
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON
2023+
TO247
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
onsemi(安森美)
2025+
TO-247-4L
55740
询价
ON
23+
TO247
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价