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NTH4L060N090SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTH4L060N090SC1

功能描述

Silicon Carbide SiC MOSFET - 60 mohm, 900V, M2, TO-247-4L

文件大小

895.48 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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NTH4L060N090SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V

Typ. RDS(on) = 43 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 87 nC)

• Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 113 pF)

• 100 UIL Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC−DC Converter

• Boost Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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