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NTH4L070N120M3S	文件：356.3 Kbytes Page：8 Pages	Marking：H4L070120M3S；Package：TO-247-4L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L070N120M3S	文件：356.57 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Marking：H4L070120M3S；Package：TO-247-4L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 65 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalA

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,65mohm,1200V,M3S,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=65m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=57nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=57pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(ons

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