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NTH4L160N120SC1	文件：356.61 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L160N120SC1	文件：357.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L160N120SC1	文件：277.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 160 m, 17.3 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L160N120SC1_V01	文件：356.61 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTH4L160N120SC1_V02	文件：357.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L160N120SC1	文件：358.92 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–160mohm,1200V,M1,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L160N120SC1	文件：277.94 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,TO247-4L1200V,160m,17.3A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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