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NTH4L160N120SC1_V01	文件：356.61 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVH4L160N120SC1_V01	文件：358.92 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–160mohm,1200V,M1,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typ

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–160mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=160m •UltraLowGateCharge(QG(tot)=34nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=49.5pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve

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更多NTH4L160N120SC1_V01供应商更新时间2025-6-19 14:16:00

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