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NTH4L160N120SC1_V02	文件：357.43 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 160 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typ 文件：357.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NTH4L160N120SC1_V02供应商更新时间2025-11-24 10:07:00