NTH4L032N065M3S_V01中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTH4L032N065M3S_V01
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L
文件大小	353.32 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-10-5 10:31:00
人工找货	NTH4L032N065M3S_V01价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 114 pF)

• 100% Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

• SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storage, EV Charging

Infrastructure

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