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NTH4L032N065M3S_V01	文件：353.32 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L Features •TypicalRDS(ON)=32m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=114pF) •100%AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L032N065M3S_V01

文件：353.32 Kbytes

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L

Features •TypicalRDS(ON)=32m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=114pF) •100%AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection)

ONSEMION Semiconductor

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更多NTH4L032N065M3S_V01供应商更新时间2025-7-15 15:01:00

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