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NTH4L032N065M3S_V01	文件：353.32 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L Features • Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 114 pF) • 100% Avalanche Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) 文件：353.32 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHL040N65S3F	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 TO-247	ON/安森美上传：深圳市周芯芯半导体有限公司	ON/安森美
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