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PT2312	文件：158.46 Kbytes Page：4 Pages	4-ChannelAudioProcessor PT2312isafour-channeldigitalcontrolaudioprocessorutilizingCMOSTechnology.Volume,Bass,Balance,Front/RearFaderProcessor,SelectableInputGainareincorporatedintoasinglechiphavingthehighestperformanceandreliabilitywiththeleastexternalcomponents.Allfunctionsareprog	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2312E	文件：192 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2312E	文件：179.89 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio DESCRIPTION ThePT2312Eisanaudioprocessordesignedforversatileapplication,includes4stereoinputselectorwith adjustablegain,mastervolumecontrolwithlowfrequencyloudnesscompensation,individualoutput attenuatorandtonecontrol.Itisagoodsolutionforthecaraudios	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2312E-S	文件：179.89 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio DESCRIPTION ThePT2312Eisanaudioprocessordesignedforversatileapplication,includes4stereoinputselectorwith adjustablegain,mastervolumecontrolwithlowfrequencyloudnesscompensation,individualoutput attenuatorandtonecontrol.Itisagoodsolutionforthecaraudios	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2312E-S	文件：192 Kbytes Page：5 Pages	StereoAudioProcessorforCarAudio	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
RF2312	文件：311.78 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2312	文件：274.51 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2312isageneralpurpose,lowcosthighlinearityRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasilycascadable75Ωgainblock.Thegainflatnessof	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2312	文件：306.26 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2312	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVO Qorvo, Inc	QORVO
RF2312PCBA	文件：306.26 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMD RF Micro Devices	RFMD

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详细参数

型号：
NTE2312
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
TRANSISTOR NPN SILICON 700V IC=8A TO-220 CASE TF=0.7US HIGH VOLTAGE HIGH SPEED S
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR NPN 400V TO-220
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220
功能描述：
T-NPN-SI HIGH VLTG SWITCH
功能描述：
TO-220 NPN HI-V/SPD
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
400V; Transition Frequency Typ
ft：
4MHz; Power Dissipation
Pd：
80W; DC Collector
Current：
8A; DC Current Gain
hFE：
60; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	NTE2312		新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE2312		2022+		1	全新原装货期两周	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE2312		24+	N/A	48000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE2319	NTE	23+	-3	39265	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE2323	NTE	23+		65480		询价

更多NTE2312供应商更新时间2025-5-22 16:06:00

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