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NTD4965N-1G

Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTD4965N-1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

NTD4965N-1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

详细参数

  • 型号:

    NTD4965N-1G

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多NTD4965N-1G供应商 更新时间2024-4-28 14:56:00