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NTD4965N-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 68A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:318.3 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD4965N-1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:995.69 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD4965N-1G

Power MOSFET 30 V, 68 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

文件:118.08 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4965N-1G

Power MOSFET

文件:113.44 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD4965N-1

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTD4965N-1供应商 更新时间2025-10-30 14:02:00