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|---|---|---|---|---|
NTD3055-150G | Power MOSFET 9.0 A, 60 V 文件：67.44 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
NTD3055-150G | Power MOSFET 文件：112.93 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.15Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, 文件：353.68 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 150mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：259.709 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Power MOSFET 文件：112.93 Kbytes 页数：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 9.0 A, 60 V 文件：67.44 Kbytes 页数：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
详细参数
- 型号：
NTD3055-150G
- 功能描述：
MOSFET 60V 9A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
DPAK |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
询价 | |||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ONS |
25+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-252/D-PAK |
32500 |
普通 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
DPAK |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-252-2 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-252-2 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ON |
22+ |
TO-252 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10085 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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